• 15.11.2013

Höchste Auszeichnung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft für TUM-Halbleiterphysiker:

Stern-Gerlach-Medaille für Gerhard Abstreiter

Für seine wegweisenden Arbeiten auf dem Gebiet der Halbleiterphysik erhält Dr. Gerhard Abstreiter, Professor am Physik-Department und Leiter des Institute for Advanced Study der Technischen Universität München (TUM) die Stern-Gerlach-Medaille der Deutschen Physikalischen Gesellschaft (DPG).

Prof. Dr. Gerhard Abstreiter - Bild: Astrid Eckert / TUM
Prof. Dr. Gerhard Abstreiter - Bild: Astrid Eckert / TUM

Seit mehr als 20 Jahren gilt Abstreiters Forschungsgruppe als weltweit führend in der Erforschung der strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften von Halbleiter-Nanostrukturen. Eine seiner bekanntesten Entwicklungen ist eine Version des High Electron Mobility Transistor (HEMT), ein Hochfrequenz-Verstärkerbaustein, der heute in jedem Handy zu finden ist. Weil dieser Transistor aus extrem dünnen Lagen verschiedener Halbleitermaterialien aufgebaut ist, ist er besonders rauscharm.

In der Anfangszeit des Satelliten-Fernsehens benötigte man Antennenschüsseln mit einem Durchmesser von mehr als zwei Metern. Erst die von Abstreiter am Walter Schottky Institut der TUM entwickelten, rauscharmen HEM-Transistoren machen es möglich, dass auch die heute bekannten kleinen Sat-Antennen ein gutes Fernsehbild liefern.

Andere wichtige Bauteile entwickelten sich aus Erforschung von Quantenpunkten – nur wenige Nanometer große Gebilde aus Halbleitermaterialien, deren Eigenschaften eher Atomen oder Molekülen entsprechen. Schon in den achtziger Jahren des vorigen Jahrhunderts wurde vorausgesagt, dass sich mit solchen Strukturen besonders effiziente Lasersysteme erzeugen lassen sollten. Der Forschungsgruppe um Abstreiter gelang es als einer der ersten, solche Quantenpunkte herzustellen und nutzbar zu machen.

Inzwischen sind solche Lasersysteme ein wichtiges Element der modernen Kommunikationstechnik: Die Lichtimpulse, die in den Glasfaserkabeln Informationen übertragen, werden heutzutage oft von Lasern erzeugt, die nach diesem Prinzip aufgebaut sind.

Entscheidend für die Funktionsweise dieser Bauteile ist es, die nur wenige Nanometer messenden Schichten und Inselstrukturen in höchster Qualität herstellen zu können. Wesentlich dafür war die Einrichtung des Zentralinstituts für Halbleiterphysik, das Walter Schottky Institut. Abstreiter hatte großen Anteil daran, dass die Schaffung des Instituts beschlossen und der Beschluss in Rekordzeit in die Tat umgesetzt wurde. Auch der Bau des Zentrums für Nanotechnologie und Nanomaterialien (ZNN) trägt seine Handschrift.

Die Deutsche Physikalische Gesellschaft verleiht ihre höchste Auszeichnung auf dem Gebiet der Experimentalphysik für seine grundlegenden Arbeiten zu niederdimensionalen Elektronensystemen in Halbleiterhetero- und Nanostrukturen, die die Basis für das Verständnis von Halbleiterquantenstrukturen gelegt haben und Meilensteine für konkrete Anwendungen in heutigen Bauelementen der Mikro- und Nanoelektronik darstellen. Die goldene Medaille mit den Porträts von Otto Stern und Walther Gerlach wird im März 2014 auf der Jahrestagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft übergeben.

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